有关光刻胶的显影下列说法错误的是（）。

解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。 利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（） 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 下列有关温度与显影性能的说法，错误的是 关于正胶和负胶在显影时的特点，下列说法正确的是（）。 中国大学MOOC: 在集成电路制造过程的图形制备的最后一道工序是光刻胶去除，这一过程叫去胶，常用的去胶方法有（）。 有关显影剂菲尼酮的说法，错误的是 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶（） 由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。 下列有关胶剂的叙述，错误的是 下列关于中性硅酮胶说法错误的是（）