利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉（）

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。 最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶？ 蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有（）。 光刻加工曝光中,由光源发出的光束经掩膜在光致抗蚀剂上成像,称为( )曝光。 光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（） 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？ 在蚀刻过程中，添加某些添加剂可以降低侧蚀程度。 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 在印制电路板的蚀刻过程中为何要减少侧蚀。如何减少侧蚀。 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶（） 雕刻过程中可以戴上观察是否有图案雕刻出来,明暗是否正常（） 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 在酸性氯化铜蚀刻过程出现抗蚀剂破坏的原因可能有（）。