在CMOS工艺中，通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备（）

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少？ 在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。 光刻胶的光学稳定通过（）来完成的。 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_（）__光室中进行。 光刻胶主要由（）等不同材料混合而成的。 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？ 解释正性光刻和负性光刻的区别？为什么正胶是普遍使用的光刻胶？最常用的正胶是指哪些胶？ 负性和正性光刻胶有什么区别和特点？ 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低？ 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有（）、（）、（）、（）。 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的，曝光后硬化成不可溶解的物质，这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂，由此组成的光刻胶称为负性胶（） 光刻工艺一般都要经过涂胶、（）、曝光、（）、坚膜、腐蚀、（）等步骤。 固态感光树脂凸版的制版工艺是：曝光→显影→（)→（)。 光刻技术中的反刻工艺，通常应用于（ ）的情况。 通常来说，可以通过以下的几种技法来实现多次曝光（）。: 单纯多次曝光 变换焦距多次曝光 叠加法多次曝光 遮挡法多次曝光 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？ 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗 通常来说，可以通过以下的几种技法来实现多次曝光（）