淀积粘化

在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。 采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？ （）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（） 在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。 灰化土最大的特点是具有灰化淀积层，灰化土的植被以（）为主。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（） 2的残留，二三氧化物及腐殖质淋溶及淀积的过程指的是 阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附着。 岩石风化过程虽然是一个连续的渐变过程，但根据其代表性矿物可以划分为以下碎屑、钙淀积、（）、富铝化四个阶段。 对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。 （名词解析） 粘化过程 LPCVD淀积多晶硅常用温度为600-650℃，采用热分解法，反应方程式为（） “荷花淀”“绽开”中“淀”“绽”读音不同。 土壤粘化过程：指土壤中粘粒的形成和粘粒的淋溶聚积过程 物理气相淀积最基本的两种方法是什么？简述这两种方法制备薄膜的过程。 色淀及以色淀为基本成分的制品 色淀 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。