单选题

在热扩散工艺中的预淀积步骤中,砷和锑的扩散温度为()

A. 1050~1200℃
B. 900~1050℃
C. 1100~1250℃
D. 1200~1350℃

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中国大学MOOC: 在扩散工艺中,杂质进入半导体后占据正常的晶格格点,主要是沿着空位向里扩散的方法是()。 集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点? 扩散工艺使杂质由半导体晶片表面向内部扩散,改变了晶片(),所以晶片才能被人们所使用。 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。 中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外,还将进 行横向扩散,横向扩散的宽度大约为()xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说,由于空气中的水分与()作用后形成固体粉末,会堵塞或破坏分离膜。 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说,由于空气中的水分与六氟化铀作用后形成(),会堵塞或破坏分离膜。 热扩散掺杂的工艺可以一步实现() 什么是“湿热扩散”?湿热扩散对粮食储藏有什么影响? 质扩散系数、热扩散系数和动量扩散系数具有相同的单位。 通常热扩散分为两个大步骤,其中第一个步骤是()。 利用半导体技术的扩散工艺,将型半导体和型半导体结合在一起,则其交界面便会形成一个PN结() AC003油层中的热对流和热传导,形成了热扩散。 AC003油层中的热对流和热传导,形成了热扩散() 粮堆内水分按热流方向转移的现象称为湿热扩散,()是导致湿热扩散的原因。 粮堆内水分按热流方向转移的现象称为湿热扩散。()是导致湿热扩散的原因。 假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。 通常用热空气干燥,湿扩散和热扩散的方向一致,有利于干燥的进行。 储粮过程中冷、热部位持续时间越长,湿热扩散就愈()。 气体燃烧分为扩散燃烧和预混燃烧,下列描述中,( )不属于扩散燃烧的特点。
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