硅片扩散工艺结束后应抽取（）片来检测。

中国大学MOOC: 在扩散工艺中，杂质进入半导体后占据正常的晶格格点，主要是沿着空位向里扩散的方法是（）。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。 扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。 中国大学MOOC: 扩散处理除在Si表面的垂直方向进行外，还将进 行横向扩散，横向扩散的宽度大约为（）xj。这也是小尺寸器件不能采用扩散工艺的原因。 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说,由于空气中的水分与（）作用后形成固体粉末，会堵塞或破坏分离膜。 对于采取气体扩散工艺的铀浓缩工厂来说，由于空气中的水分与六氟化铀作用后形成（），会堵塞或破坏分离膜。 利用半导体技术的扩散工艺，将型半导体和型半导体结合在一起，则其交界面便会形成一个PN结（） 在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。 集成电路是微电子技术的核心，它是以先进的工艺和具体技术为基础的高科技，没有扩散工艺、平面工艺等的技术突破，集成电路是不可能成功的，第一块集成电路诞生于哪一年（） 气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散。 气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散 硅片加工工艺流程主要包括（） 扩散硅式差压变送器的检测元件采用扩散硅压阻传感器，输入差压AP作用于测量部分的扩散硅压阻片上，引起扩散电阻（应变片）阻值发生变化来测量差值（） 钎焊结束后,关闭机械泵前,应确保扩散泵油温低于()℃。 外延生长工艺流程是（）。①硅片清洁处理 ②氯化氢气相抛光 ③系统的清洁处理 ④降温取片 ⑤外延生长 抽取的样品在送达检验检测机构后，应放置一段时间后再进行检测（） 抽取的样品在送达检验检测机构后，应放置一段时间后再进行检测（） 经皮给药制剂的制备方法有骨架黏合工艺、超声分散工艺、逆相蒸发工艺。（） 经皮给药制剂的制备方法有骨架黏合工艺、超声分散工艺、逆相蒸发工艺。