在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A. 均匀性
B. 表面平整度
C. 自由应力
D. 纯净度
E. 电容
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在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
A.均匀性 B.表面平整度 C.自由应力 D.纯净度 E.电容
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在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。
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由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A.正确 B.错误
答案
由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。
A.对 B.错
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制造半导体器件薄膜化学气相沉积装置（）
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