单选题

在CMOS工艺中,通常采用对光刻胶曝光显影来实现所设计结构的图案制备()

A. 正确
B. 错误

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在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。 典型的DUV光刻胶曝光剂量的宽容度是多少? 在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。 光刻胶的光学稳定通过()来完成的。 光刻工艺中的曝光和显影工序必须在_()__光室中进行。 在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么? 光刻胶主要由()等不同材料混合而成的。 解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶? 负性和正性光刻胶有什么区别和特点? 解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低? 通过负光刻胶定义的图形与所需要制备的图形相反。 光刻中影响甩胶后光刻胶膜厚的因素有()、()、()、()。 光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶() 光刻工艺一般都要经过涂胶、()、曝光、()、坚膜、腐蚀、()等步骤。 光刻技术中的反刻工艺,通常应用于( )的情况。 固态感光树脂凸版的制版工艺是:曝光→显影→()→()。 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗? 试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗 通常来说,可以通过以下的几种技法来实现多次曝光()。: 单纯多次曝光 变换焦距多次曝光 叠加法多次曝光 遮挡法多次曝光 通常来说,可以通过以下的几种技法来实现多次曝光()
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