晶体管在饱和状态时的条件是发射结()偏置，集电结()偏置。

晶体管工作在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态UCE=0。() 三极管在饱和状态时，发射结和集电结都处于正向偏置（6297）（） 当晶体管的发射结正偏，集电结正偏，晶体管处于饱和状态。 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置，而集电结必须反向偏置（） 当三极管处于饱和状态时，其集电结与发射结的静态偏置情况为（）。 当三极管处于饱和状态时，其集电结与发射结的静态偏置情况为（）。 当晶体管的发射结与集电结都处于正相偏置时晶体管将工作在（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体三极管的发射结与集电结都处于正向偏置时，则三极管工作在饱和状态（） 晶体管的发射结处于正向偏置，而集电极处于反向偏置，则晶体管处于（）状态 若BJT发射结正向偏置，集电结反向偏置，则BJT处于（）状态 晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置。 晶体管放大电路的基本原则是：外加电源使发射结处于正向偏置，集电结处于反向偏置（） 三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置。 三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置（） 三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置（） 三极管工作在饱和区时,发射结加()偏置电压,集电结加偏置电压 三极管工作在放大状态时，发射结应（）偏置，集电结应（）偏置。 晶体三极管发射结反偏置、集电结反偏置,晶体三极管处于工作状态（） 晶体三极管工作在放大区时，集电结应反偏置,发射结应偏置