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当晶体管的发射结正偏,集电结正偏,晶体管处于饱和状态。

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当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区() 当晶体管的发射结正偏的时候,晶体管一定工作在放大区() 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏。() 三极管处于截止状态的条件是晶体管的发射结正偏() 为使晶体管可靠地处于截止状态时,它的集电结()偏,发射结()偏。 晶体管在饱和状态时的条件是发射结()偏置,集电结()偏置。 晶体管具有放大作用时,它的集电结()偏,发射结()偏。 当晶体管的两个PN结都正偏时,则晶体管处于() 三极管处于饱和状态时,其集电结和发射结都处正偏() 发射结正偏,集电结反偏是晶体管工作在区的外部条件() 发射结及集电结均处于正偏,则三极管的工作状态为饱和状态() 三极管处于饱和工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 中国大学MOOC: 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通,集电结反偏。。 晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为(),锗管约为0.3V。 晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为0.7V,锗管约为()。 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压() 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于 状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于 状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为 状态 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处于反偏,则三极管的工作状态为(7)() 晶体三极管发射结处于正偏,集电结处反偏,则三极管的工作状态为()。 当晶体管处于放大状态时,其特征是:发射结处于()偏置,集电结处于反向偏置。
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