三极管的放大条件：发射结反偏、集电结正偏（）

三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结反偏（） 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 三极管发射结零偏或反偏，集电结反偏，该三极管处于（）。 当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态 放大电路中三极管工作在放大状态时，集电结正偏，发射结反偏（） 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏，集电结正偏 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，工作在 当三极管的发射结正偏且大于开启电压，集电结反偏时，三极管处于（）状态。 晶体三极管发射结处于正偏，集电结处反偏，则三极管的工作状态为()。 中国大学MOOC: 晶体三极管在放大状态下有：发射结正偏，集电结反偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结（）。 对半导体三极管，测得发射结反偏，集电结反偏，此时该三极管处于（）