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三极管放大区的放大条件为发射结正偏,集电结反偏。

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三极管的饱和条件:发射结反偏、集电结正偏() 三极管的截止条件:发射结反偏、集电结正偏() 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结正偏() 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏,则此三极管处于 状态;其发射结和集电结都处于反偏时,此三极管处于 状态;当发射结正偏、集电结反偏时,三极管为 状态 三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于( )。 三极管工作在放大状态的条件是:发射结正偏,集电结正偏 三极管的截止条件:发射结反偏、集电结反偏() 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏,集电结()。 中国大学MOOC: 晶体三极管在放大状态下有:发射结正偏,集电结反偏。 当三极管的发射结正偏,集电结反偏时,三极管处于状态() 三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为( )。 晶体三极管放大工作区的特点是:发射结反偏,集电结正偏,具有放大电的作用() 三极管发射结零偏或反偏,集电结反偏,该三极管处于()。 当三极管的发射结正偏,集电结正偏时,三极管处于 三极管处于饱和工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 三极管处于截止工作状态时,发射结正偏,集电结反偏() 当三极管的集电结处于正偏,发射结处于反偏时,三极管处于状态 晶体三极管用于放大时,必须发射结正偏,集电结也正偏() 晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,工作在
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