功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
A. 源极S，漏极D，发射极E
B. 漏极D，发射极E，集电极C
C. 栅极G，发射极E，集电极C
D. 源极S，漏极D，栅极G
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功率场效应晶体管的三个引脚符号为（）。
A.源极S，漏极D，发射极E B.漏极D，发射极E，集电极C C.栅极G，发射极E，集电极C D.源极S，漏极D，栅极G
答案
功率场效应晶体管一般为()。
A.N沟道耗尽型 B.N沟道增强型 C.P沟道耗尽型 D.P沟道增强型
答案
场效应晶体管可用于（）。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
场效应晶体管与晶体管有何不同？
答案
的本质是一个场效应晶体管（）
A.肖特纳二极管 B.晶闸管 C.电力晶体管 D.绝缘栅双极型晶体管
答案
电力场效应晶体管有三个引脚，分别为源极S、栅极G、漏极D（）
答案
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
电力场效应晶体管MOSFET（）现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
结型场效应晶体管可分为（）。
A.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 B.N沟道增强型、P沟道耗尽型 C.N沟道耗尽型、P沟道耗尽型 D.N沟道增强型、P沟道增强型
答案
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电力场效应晶体管MOSFET是（）器件。
功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。
晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件
双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为（）
双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。
门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表
绝缘栅双极型晶体管的本质就是一个场效应晶体管（）
绝缘栅双极型晶体管的本质是一个场效应晶体管（）
电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点?
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
绝缘栅型场效应晶体管可分为（）
场效应晶体管的输入电阻可高达（）。
功率场效应晶体管最大功耗随管壳温度的增高而（）。
电力晶体管的开关频率（）电力场效应晶体管的开关频率（）
绝缘栅双级晶体管的开关速度（）电力场效应晶体管。
（）是耗尽型场效应晶体管的一个重要参数。
绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为（）
场效应晶体管是由控制漏极电流的
场效应晶体管是用（）控制漏极电流的
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