单选题

绝缘栅双级晶体管的开关速度()电力场效应晶体管。

A. 稍高于
B. 低于
C. 等于
D. 远高于

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绝缘栅双极型晶体管IGBT是以场效应晶体管作为基极,以电力晶体管作为发射极与集电极复合而成() 电力场效应晶体管适用于()的设备。 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的() 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的()。 绝缘栅场效应晶体管根据结构不同分为() 电力场效应晶体管是理想的()控制型器件 电力场效应晶体管MOSFET适于在条件下工作() 电力场效应晶体管是理想的电流控制器件。 电力场效应晶体管MOSFET是理想的()控制器件。 门极可关断晶闸管,大功率晶体管,功率场效应晶体管,绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表 双极型晶体管和场效应晶体管的控制信号为()。 双极型晶体管和场效应晶体管的驱动信号为() 场效应晶体管与晶体管有何不同? 电力场效应晶体管栅极绝缘,栅极无电流,所以栅极驱动功率为零。 场效应晶体管可用于()。 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿() 电力场效应晶体管MOSFET在使用时要防止静电击穿。 中国大学MOOC: 请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管 ;可关断晶闸管 ;功率场效应晶体管 ;绝缘栅双极型晶体管 ;IGBT是 和 的复合管。 晶体管属于_______控制器件,场效应晶体管属于_______控制器件 电力场效应晶体管输入阻抗高、开关损耗小,但存在二次击穿()
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