单选题

场效应晶体管的输入电阻可高达()。

A. 106Ω以上
B. 108Ω以上
C. 104Ω以上
D. 1010Ω以上

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单选题
场效应晶体管的输入电阻可高达()。
A.106Ω以上 B.108Ω以上 C.104Ω以上 D.1010Ω以上
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单选题
场效应晶体管的输入电阻可高达()。
A.106Ω以上 B.108Ω以上 C.104Ω以上 D.1010Ω以上
答案
单选题
场效应晶体管可用于()。
A.数字电路的开关、大规模集成电路等 B.整流电路、放大电路 C.滤波电路、整流电路 D.小规模集成电路、开关电路
答案
主观题
场效应晶体管与晶体管有何不同?
答案
主观题
场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入()。
答案
主观题
场效应晶体管具有很小的输入电流和很高的输入()
答案
单选题
场效应晶体管的控制方式是()。
A.输入电流控制输出电流 B.输入电流控制输出电压 C.输入电压控制输出电流 D.输入电压控制输出电压
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
电力场效应晶体管MOSFET()现象。
A.有二次击穿 B.无二次击穿 C.要防止二次击穿 D.无静电击穿
答案
单选题
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是()
A.漏极电流,压漏-源电压,以栅极电压为参变量 B.漏极电流,栅极电压,以漏-源电压为参变量 C.基极电压,集电极电流,以集电极电压为参变量 D.漏极电流,栅极电流,以漏-源电压为参变量
答案
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