三极管工作在放大区时，发射结正偏，集电结也正偏（）

当三极管的发射结正偏，集电结正偏时，三极管处于 一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于 状态；其发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于 状态；当发射结正偏、集电结反偏时，三极管为 状态 三极管工作在截止状态时，集电结、发射结构正偏。 三极管工作在截止状态时，集电结、发射结构正偏（） 三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于（ ）。 三极管工作在饱和状态时，集电结和发射结均处于正偏（） 三极管共发射极放大电路中，为保证三极管放大状态，发射结反偏，集电结正偏（） 三极管处于截止工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 三极管处于饱和工作状态时，发射结正偏，集电结反偏（） 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏。 晶体三极管电流放大的偏置条件是发射结正偏，集电结正偏（） 晶体三极管的发射结正偏，集电结反偏时，工作在 当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处于状态（） 三极管的饱和条件：发射结反偏、集电结正偏（） 三极管的截止条件：发射结反偏、集电结正偏（） 晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压（） 半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏（） 三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。 三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏，集电结反偏。 当三极管的集电结处于正偏，发射结处于反偏时，三极管处于状态