在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A. 耐热陶瓷器皿
B. 金属器皿
C. 石英舟
D. 玻璃器皿
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在将清洗完的硅片放进扩散炉扩散时，需要将硅片先装入（），然后再装入扩散炉。
A.耐热陶瓷器皿 B.金属器皿 C.石英舟 D.玻璃器皿
答案
气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散。
A.200--400 B.800--900 C.1000—1500 D.2000—5000
答案
气体扩散法是将含有磷的气体在高温（）度下向硅片进行扩散
A.200--400 B.800--900 C.10001500 D.20005000
答案
硅片扩散工艺结束后应抽取（）片来检测。
A.5 B.6 C.3 D.4
答案
下面哪个不是硅片的清洗方法（）
A.化学清洗法 B.超声清洗法 C.真空高温清洗法 D.清水清洗法
答案
例出典型的硅片湿法清洗顺序。
答案
例出典型的硅片湿法清洗顺序
答案
以下选项中不是硅片清洗的作用的是？（）
A.在等离子边缘腐蚀中，如果有油污、水汽、灰尘和其他杂质存在，会影响器件的质量，清洗后质量大大提高 B.在硅片外延工艺中，杂质的存在会影响硅片的电阻率不稳定 C.在太阳能材料制备过程中，在硅表面涂一层具有良好性能的增反膜，有害的杂质离子进入二氧化硅层，会降低绝缘性能，清洗后绝缘性能会更好 D.硅片中杂质离子会影响P-N结的性能，引起P-N结的击穿电压降低和表面漏电，影响P-N结的性能
答案
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸附在硅片表面的杂质除去。
答案
在硅片晶向、掺杂类型介绍中，由硅片断裂边形成的角度是60º可知硅片是什么晶向（）
A.（100） B.（111） C.（110） D.（211）
答案
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将圆柱形的单晶硅锭制备成硅片需要哪些工艺流程？
在给硅片清洗时，通常将杂志分为三类，包括（）①分子杂质②原子杂质③化学杂质④离子杂质
在清洗硅片时常用到真空高温处理法，不是其优点是（）
硅片加工工艺流程主要包括（）
净化室将硅片制造设备与外部环境隔离，免受诸如（）的沾污。
直径〉15.24cm的单晶硅片
多晶硅片生成流程中不包括？（）
硅片关键尺寸测量的主要工具是什么？
用于制备IC的硅片常用晶向为（）
世界上首位“芯片人”是将一个硅片脉冲转发器植入（）。
7.5cm≤直径≤15.24cm单晶硅片
炉中钎焊完毕时，炉内温度降低到()℃以下时，才可关闭扩散泵。
例举硅片制造厂房中的7种玷污源。
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
例举出硅片厂中使用的五种通用气体。
空调系统风道清洗完工后，需要使用压缩空气将（）吹干。
每批炉料的矿石先装入炉内，焦炭后装入炉内，称为（）装。
暴露在高温的氧气氛围中，硅片上能生长出氧化硅。生长一词表示这个过程实际是消耗了硅片上的硅材料。
空调风道清洗完毕必须要将（）拆下进行清理以免清洗剂进入鼓风机造成损坏。
什么是外延层？为什么硅片上要使用外延层？
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