单选题

自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后,应维持()时间,直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止

A. 20~30秒
B. 30~60秒
C. 1~2分钟
D. 2~4分钟
E. 5~7分钟

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单选题
自身上釉指的是将修复体烧结到与原来的烧结温度相同或稍高的过程。达到上釉的温度之后,应维持()时间,直到瓷的外表面形成理想的光泽度为止
A.20~30秒 B.30~60秒 C.1~2分钟 D.2~4分钟 E.5~7分钟
答案
单选题
若采用自身上釉,烧结温度比体瓷的烧结温度
A.高20~30℃ B.高10~20℃ C.高10℃以内 D.低10℃以内 E.低10~20℃
答案
单选题
若采用体瓷、透明瓷自身上釉,烧结温度是()
A.低于体瓷烧结温度5℃ B.低于体瓷烧结温度10℃ C.高于体瓷烧结温度5℃ D.高于体瓷烧结温度10℃ E.以上均不正确
答案
单选题
上釉的烧结温度是()
A.低于体瓷烧结温度5℃ B.低于体瓷烧结温度10℃ C.高于体瓷烧结温度5℃ D.高于体瓷烧结温度10℃ E.以上均不正确
答案
单选题
上釉的烧结温度是
A.低于体瓷温度5℃ B.低于体瓷温度10℃ C.低于体瓷温度20℃ D.高于体瓷温度5℃ E.高于体瓷温度10℃
答案
单选题
用釉粉上釉的烧结温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面
答案
单选题
自身釉烧结的温度是
A.低于体瓷烧结温度6~8℃ B.高于体瓷烧结温度10℃ C.高于烤瓷熔点4℃左右并保持一定时间 D.形成较光的表面,防止瓷层烧结时产生气泡 E.防止磨料成分污染金属表面
答案
单选题
PFM修复体初期预氧化过程中除气应在比次烧结温度高()的真空状态烧结。
A.10℃ B.20℃ C.30℃ D.40℃
答案
主观题
烧结风箱温度是指通过烧结料层的()温度。
答案
判断题
烧结温度是指烧结过程中料层达到的温度。()
A.对 B.错
答案
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