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在杂质半导体中,少子浓度主要取决于
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在杂质半导体中,少子浓度主要取决于
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在杂质半导体中,少子浓度主要取决于
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主观题
杂质半导体中,多数载流子浓度主要取决于
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主观题
杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于( )
答案
单选题
在杂质半导体中,少数载流子浓度主要取决于()
A.掺杂工艺 B.杂质浓度 C.温度 D.晶体缺陷
答案
单选题
杂质半导体中多数载流子的浓度取决于()
A.温度 B.杂质浓度 C.电子空穴对数目
答案
单选题
在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于()
A.本征半导体 B.温度 C.杂质浓度 D.掺杂工艺
答案
多选题
杂质半导体中多数载流子浓度取决于(),少数载流子浓度取于()
A.反向电压的大小 B.掺入杂质的浓度 C.制作时间 D.环境温度
答案
判断题
在杂质半导体中多数载流子数目取决于掺杂浓度()
答案
判断题
中国大学MOOC: 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于温度。
答案
单选题
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与有很大关系()
A.温度 B.掺杂工艺 C.杂质浓度 D.晶体缺陷
答案
热门试题
在杂质半导体中少子的浓度只与温度有关,而与掺杂浓度无关
杂质半导体的少数载流子数量取决于温度()
在掺杂半导体中,少子的浓度受()的影响很大。
在掺杂半导体中,少子的浓度则受 的影响很大()
杂质半导体中( )的浓度对温度敏感
对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质可以改型为P型半导体。(? ? ? )
在P型半导体中()为少子.
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
在杂质半导体中,多数载流子的浓度与( )有关
温度升高时,杂质半导体中的多子浓度明显增加。()
因半导体中掺加的杂质不同,含杂质半导体可分为()型半导体和()型半导体两类()
室温附近,当温度升高时,杂质半导体中(???)浓度明显增加。
随着温度的升高,在杂质半导体中,少数载流子的浓度____
在纯净的半导体中掺入不同的杂质,可形成两种不同的杂质半导体,即N型半导体和()半导体。
N型半导体中电子是少子,空穴是多子。
因掺入杂质性质不同,杂质半导体可为半导体和 半导体两大类
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()
在半导体中掺人微量的有用杂质,制成掺杂半导体。掺杂半导体有()。
城区中臭氧浓度的高低,主要取决于什么?
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