在掺杂半导体中，少子的浓度则受 的影响很大（）

在P型半导体中（）为少子. 本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体 N型半导体中电子是少子，空穴是多子。 通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低（） 半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？ 以下掺杂半导体中属于n型的是（） 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。 N型半导体掺杂的是元素（） 中国大学MOOC: 对于p型半导体，费米能级随掺杂浓度的变化情况为： P型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） P型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（） N型半导体——（电子为少子,空穴为多子）（） N型半导体——（电子为多子,空穴为少子）（） 在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与有很大关系（） 掺杂半导体中，载流子的浓度会影响载流子的迁移率。不论是空穴还是自由电子，在低杂质浓度下迁移率都，在高浓度下达到（） 晶体管都是由掺杂半导体做成的 晶体管都是由掺杂半导体做成的。（6271）（） 中国大学MOOC: 在半导体加工工艺中掺杂的目的主要是（）。 迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）