假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，磷的扩散温度为（）
A.600～750℃ B.900～1050℃ C.1100～1250℃ D.950～1100℃
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实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用（）
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）
A.1050～1200℃ B.900～1050℃ C.1100～1250℃ D.1200～1350℃
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在900～1050℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h B.50min～2h C.10～40min D.5～10min
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在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在950～1100℃的条件下，扩散时间大约（）为宜。
A.4～6h B.50min～2h C.10～40min D.5～10min
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溶度积大的沉淀一定能转化为溶度积小的沉淀。
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凡溶度积大的沉淀一定能转化成溶度积小的沉淀
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