电路如图所示,晶体管β=50 ,，当时，晶体管处于临界饱和状态，正常工作时静态集电扱电流等于3mA ,此时应把调整为（）kΩ

电路如图所示，若更换晶体管，使B由50变为100，则电路的电压放大倍数约为（　　）。 晶体管处于饱和状态时，它的集电结（）偏，发射结（）偏。 双稳态电路中如果一个晶体管正处在饱和状态，另一个晶体管一定是处在截止状态。 晶体管非门电路如图所示，已知β=40,当输入电压要使晶体管饱和导通，0. 7V，集电极和发射极之间的饱和电压（） 如图所示单结晶体管振荡电路，决定控制角a的元件是（） 晶体管处于饱和状态时,集电结和发射结的偏置情况为 中国大学MOOC: 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是 。 晶体管非门电路如图所示，已知，β=40，当输入电压时，要使晶体管饱和导通，Rx的值不得大于（）。（设0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压） 晶体管非门电路如图所示，已知警输入电压=5V时，要使晶体管饱和导通，的值不得大于多少？（设，集电极和发射极之间的饱和电压）（） 放大电路如图a所示，晶体管的输出特性肋线以及放大电路的交、直流负载线如图b所示。设晶体管的β=50，U=0.7V，放大电路的电压放大倍数Au为（） 晶体管—晶体管电路形式指是（4052）（） 晶体管非门电路如图所示，已知β=40，当输人电压时，要使晶体管饱和导通，Rx的值不得大于：（设0. 7V，集电极和发射极之间的饱和电压）（） 当晶体管的两个PN结都正偏时，则晶体管处于（） 如下电路中的晶体管为硅管, β=100 ,则晶体管的工作状态为( )。 晶体管的饱和和截止特性称为晶体管的（）特性。 晶体管在饱和状态时的条件是发射结()偏置，集电结()偏置。 差分放大电路如图所示，若晶体管的参数对称，β均为50，均为2.6kΩ。则差模电压放大倍数约为（） 电路如图所示，晶体管T的，结电容可以忽略，Rs1600μF.放大电路的电压放大倍数为（） 晶体管工作在饱和区发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。晶体管集—射极的电压很小。() 晶体管单管放大电路如图a所示，其中电阻可调，当输入、 输出的波形如图b所示，输出波形为（）