THDS-B（哈科所）探头温控板是控制碲镉汞元件温度的电路板，具有3种调整制冷方式（）

THDS（哈科所）探测站探头温控板是控制温度的电路板（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的变化（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统元件温度不稳定或有跳变，容易造成探头碲镉汞器件的灵敏率（） THDS-C（哈科所）红外轴温探测系统光子探头的元件温度是由控制箱内的探头温控板控制的（） THDS-B（哈科所）红外轴温探测系统光子探头的元件温度是由控制箱内的探头温控板控制的（） THDS（哈科所）探测站中，碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的，因此要对碲镉汞进行致冷（） THDS（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞）作为核心元件（） THDS（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统探头温控板是控制温度的电路板（） THDS-C（哈科所）探测站控制箱板卡由总控板、热靶温控板、探头温控板、组成（） THDS-B（哈科所）探测站的光子探头的主要光子器件是采用HgCdTe（锑镉汞作为核心元件）（） THDS-A（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的响应率和，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-C（哈科所）探测站,红外轴温探测系统碲镉汞器件需要在低温条件下工作，以获得比较高的和信噪比，因此要对碲镉汞进行制冷，降低器件温度（） THDS-A（哈科所）红外轴温探测系统，双侧元件温度接近环温时，可能是探头温控板造成的（） THDS-BS系统制冷板是控制碲镉汞器件温度的电路板，控制模式为（） THDS（哈科所）探测站中光子探头的元件温度是由控制箱内的制冷控制板控制的（） THDS-C（哈科所）红外轴温探测系统，双侧元件温度接近环温时，可能是探头温控板造成的（） THDS-B（哈科所）红外轴温探测系统，双侧元件温度接近环温时，可能是探头温控板造成的（） THDS-A探测系统中直流探头中测温元件为碲镉汞光子器件（） THDS-A探测系统中调制探头中测温元件为碲镉汞光子器件（）