硅二极管的死区电压为           ,正向导通压降为          ;锗二极管的死区电压为          ,正向导通压降为        。  

一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 二极管所加正向电压____死区电压时，二极管完全导通。 Si二极管的死区电压约为V，Ge二极管的死区电压约为V，Si二极管导通时的管压降约为V，Ge二极管导通时的管压降约为V 锗二极管正向导通压降约为V（） 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 硅二极管的正向导通压降约为 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管的正向压降为（）,锗二极管的正向压降为（）。 锗二极管的死区电压为（） 锗二极管的死区电压约为（） 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压，二极管才能导通。 通常硅二极管的反向饱和电流小于锗二极管的反向饱和电流，正向管压降低于锗二极管的正向管压降。 加在二极管上的正向电压大于死区电压时二极管。 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ）