一般锗二极管的死区电压为（）,正向导通压降约为（）。

要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压（） 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管在正向导通时，锗管压降为（）左右 一般来讲，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（） 硅二极管与锗二极管相比，一般反向电流较，正向压降较（） 二极管的管压降：锗二极管正向管压降为（） 锗二极管正向导通电压应为（）。 硅二极管的正向导通压降约为 快恢复二极管的正向导通压降比普通二极管低。（ ） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。 下列哪种二极管的正向导通压降最大？（ ） 下列哪种二极管的正向导通压降最小？（ ）