中国大学MOOC: 少子在晶体管基区停留的平均时间为τb，但进入基区的少子必须经过一定的延迟时间τdel才能被集电极取走，因此被集电结取走的平均时间就变为τb+τdel（ ）。

中国大学MOOC: 如果将晶体管的基极和发射极短路（即UBE=0），则（ ）。 中国大学MOOC: 请在正确的空格内标出下面元件的简称：电力晶体管 ；可关断晶闸管 ；功率场效应晶体管 ；绝缘栅双极型晶体管 ；IGBT是 和 的复合管。 中国大学MOOC: 晶体管的交流等效电路图在高频和低频时存在不同。 中国大学MOOC: 单结晶体管产生的触发脉冲是 脉冲；主要用于驱动　　　功率的晶闸管。 中国大学MOOC: 动态分析的分析对象是晶体管各极电流和极间电压的直流分量。 中国大学MOOC: 用万用表直流电压挡测得电路中晶体管各电极对地电位如图所示，说明该晶体管的工作状态是 。 为什么晶体管基区掺杂浓度低而且做得很薄？ 中国大学MOOC: These transistor（晶体管） circuits can amplify（放大） voltage signals with minimum waveform distortion（波形失真）. 下划线介词短语充当_______。 中国大学MOOC: 晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。 中国大学MOOC: 如果MOS晶体管的输出电导gds等于零，说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。 从提高晶体管放大能力出发，除了将晶体管基区做得很薄，且掺杂浓度很低之外，工艺上还要采取如下措施（） 中国大学MOOC: 某晶体管工作在放大状态，测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.3V，则该管为（ ）。 中国大学MOOC: 双极型晶体管在模拟电路中主要起开关作用，在数字电路中主要起放大作用。 NPN型晶体管的集电区是（）型半导体，基区是（）型半导体。   NPN型晶体管的集电区是（）型半导体，基区是（）型半导体。 中国大学MOOC: 考虑混合π形等效电路，将晶体管分为低频段、中频段和高频段的两个分界频率值为（）。 中国大学MOOC: 晶体管工作频率达到fT值时功率增益为1，达到fMAX时仅能维持振荡。（ ） 中国大学MOOC: 测得放大电路中晶体三极管三个电极的直流电位分别为：① 2.3V，② 3V，③ 6V， 则该晶体管为( )型管。 晶体管诞生时间为（）。 晶体管诞生时间为（）