电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）
A. 随着电子束能量的增加，其表面剂量降低
B. 随着电子束能量的增加，其表面剂量降低
C. 随着电子束能量的增加，其表面剂量增加
D. 随着电子束能量的增加，其表面剂量增加
E. 随着电子束能量的增加，其表面剂量增加
查看答案
相关试题
换一换
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）
A.随着电子束能量的增加，其表面剂量降低 B.随着电子束能量的增加，其表面剂量降低 C.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加 D.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加 E.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加
答案
电子束百分深度剂量随能量的改变而改变，其变化特点是（）
A.随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染减小 B.随着电子束能量的增加，其表面剂量降低、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加 C.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染增加 D.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变窄、剂量跌落梯度增加，并且X线污染增加 E.随着电子束能量的增加，其表面剂量增加、高剂量坪区变宽、剂量跌落梯度减少，并且X线污染减小
答案
电子束百分深度剂量随源皮距增加而变化的特点，哪项错误（）
A.表面剂量增加 B.最大剂量深度变深 C.X射线污染增加 D.剂量梯度变陡 E.高能电子束较低能电子束变化显著
答案
根据电子束百分深度剂量随深度变化的规律,对于深度为1cm的靶区,电子能量应选择( )
A.4MeV B.6MeV C.9MeV D.12MeV E.15MeV
答案
电子束的百分深度剂量随照射野增大而变化极小的条件是，照射野的执行与电子束射程比值（）
A.大于1 B.等于1 C.大于0.5 D.等于0.5 E.小于0.5
答案
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确（）？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量减小，X射线污染减少 C.随射线能量增加，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大
答案
关于能量对电子束百分深度剂量的影响，哪项描述正确？
A.随射线能量增加，表面剂量减少 B.随射线能量增加，剂量建成更迅速 C.随射线能量减小，高剂量坪区变宽 D.随射线能量减小，剂量梯度增大 E.随射线能量减小，X射线污染减少
答案
关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）
A.大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区 B.大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区 C.大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区 D.剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减 E.和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样
答案
不属于高能电子束百分深度剂量的是
A.剂量建成区 B.低剂量坪区 C.高剂量坪区 D.X射线污染区 E.剂量跌落区
答案
电子束斜入射对百分深度剂量的影响是
A.源于电子束的侧向散射效应 B.距离平方反比造成的线束的扩散效应 C.源于电子束的侧向散射效应和距离平方反比造成的线束的扩散效应的双重作用的结果 D.源于电子束的偏射角度 E.源于射程的增加
答案
热门试题
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
描述电子束百分深度剂量的参数不包括（）
描述电子束百分深度剂量的参数不包括
关于高能电子束的百分深度剂量，描述错误的是（）
电子束表面剂量随能量增加而
描述照射对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
电子束百分深度剂量曲线的高剂量“坪区”的形成原因是（）
描述照射野对电子束百分深度剂量的影响，正确的是
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是（）
不属于高能电子束百分深度剂量曲线组成部分的是
高能电子束百分深度剂量分布曲线后部有一长长的”拖尾”，其形成原因是（）
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）
当高能电子束能量增大时，其PDD曲线随能量变化的关系是（）。
高能电子束的高值等剂量曲线，随深度增加（）
不同能量的电子束，有效治疗深度(cm)为电子束能量MeV的
下同能量的电子束，有效治疗深度（cm）约为电子束能量（MeV）的多少（）。
对下列各能量电子束，被推荐的吸收剂量校准深度哪个不正确（）
对下列各能量电子束，被推荐的吸收剂量校准深度哪个不正确？（）
对下列各能量电子束，被推荐的吸收剂量校准深度哪个不正确（）
电子束中心轴深度剂量曲线同兆伏级光子束相比（）
使用微信扫一扫登录
