三极管正常工作时，其输入电阻大，而场效晶体管输入电阻小（）

晶体三极管在放大区域工作时，发射结两端所加的电压是（）电压，其输入电阻一般约为（），所以三极管的输入端要从外加信号电源中吸取电流。 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 场效应晶体管的输入电阻可高达（）。 晶体管放大器的输入电阻即为输出电阻，且等于晶体管内阻。（） 在晶体管放大器的共基极电路中，其输入电阻（），输出电阻最大。 BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高（） 由两个同类型晶体管构成的复合，其等效的输入电阻为（ ? ）。 共基极三极管放大电路的输入电阻约为几十欧，输出电阻约为几千欧至几百千欧（） 与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低温度稳定性好等优点。() 在放大电路的微变等效电路中，三极管的rbe与放大电路输入电阻Ri含义相同（） 射极跟随器的输出电阻大，输入电阻小。 同相比例运算电路的输入电阻大，而反相比例运算电路的输入电阻小 晶体管特性图示仪仅能测量晶体三极管的共发射极输入、输出特性（） 绝缘栅型场效应管放大器的输入电阻比结型场效应管和三级管所构成放大器输入电阻大（） 用欧姆档测量晶体三极管时，若三极管的eb结正向和反向电阻都很小，说明三极管的eb结正常。 用欧姆档测量晶体三极管时，若三极管的eb结正向和反向电阻都很小，说明三极管的eb结正常（） FET管的输入电阻与输出电阻为（） BJT管的输入电阻与输出电阻为（） 晶体三极管的输入特性呈（）。 对于NPN型晶体管共发射电路，当增大发射结偏置电压UBE时，其输入电阻也随之增大（）