电力晶体管（GTR）是控制型器件（）

晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件。 电力场效应晶体管是理想的（）控制型器件 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件 电力晶体管是（）控制型元件。 绝缘栅双极晶体管（IGBT）是控制型器件（） 晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件 电力晶体管GTR在电阻负载下的关断时间包括（） GTR电力晶体管有（）等优点。 电力晶体管属于双极型晶体管（） GTO代表可关断晶体管,GTR代表,IGBT代表绝缘栅晶体管（） 电力场效应管MOSFET与电力晶体管GTR比较具有如下特点，即（） 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 功率晶体管GTR会发生现象，会立即导致器件的永久损坏，或工作特性明显衰变，因而对GTR危害极大 绝缘门极双极型晶体管（IGBT）属于全控型电力电子器件（） 功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。 绝缘栅双极晶体管属于半控型器件 场效应晶体管是一种电压控制的半导体器件，是单极型半导体器件。 电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。 电力晶体管（GTR）耐压高，电流小，开关特性好，通流能力强，饱和压降低（） 电力晶体管是一种双极型大功率器件，应用中要特别注意问题（）