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MOS型的存储器速度较低,但功耗很小,集成度高。( )

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下列关于随机存储器的叙述中,正确的是: DRAM中存储的数据无需刷新|DRAM的存取速度比SRAM快|RAM分静态RAM(SRAM)和动态RAM(DRAM)两大类|SRAM的集成度比DRAM高 和动态MOS存储器比较,双极性半导体存储器的性能特点是()。 与内存储器相比,外存储器容量大,价格低,但存储速度较慢. 采用()运作系统,其库存量较低、集成度较高、信息交换迅速 和内存储器相比,外存储器的特点是容量小、速度快、成本高。 内、外存储器的主要特点是内存由半导体大规模集成电路芯片构成,存取速度快、价格高、容址、量小,不能长期保存数据。外存是由电磁转换或光电转换的方式存储数据,容量高、可长期保存,但价格相对较低,存取速度较慢() 外存储器的存取速度比内存储器的存取速度() 内存储器和外存储器不同,内存储器容量小而速度快,外存储器容量相对较大而速度较慢。 增加集成度在简化的路径包括增加集成度、()、双系统与多系统和()。 增加集成度在简化的路径包括增加集成度、()、双系统与多系统和() 外存储器的存取速度比内存储器存取速度慢。   外存储器一般存储容量较大,但数据存取速度较慢。() 集成电路按用途可以分为通用型与专用型,存储器芯片属于专用集成电路。 静态存储器利用MOS电容存储电荷来保存信息,需要不断刷新才能保持信息 辅助存储器的存取速度比主存储器快。 在下列存储器中,存取速度最快的存储器是( ) 在下列存储器中,存取速度最快的存储器是 ZXWM-32系列产品的OTU具有高集成度,单板()路 控制存储器是用来存放微程序的存储器,它比主存储器速度快。() 控制存储器是用来存放微程序的存储器,它比主存储器速度快()
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