在MOS门电路中，欲使PMOS管导通可靠，栅极所加电压应开启电压（UTP<0）（）

当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时，二极管才能导通（） MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的（） 晶体管非门电路如图所示，已知要使晶体管饱和导通，的值不得大于（）。（，集电极和发射极之间的饱和电压） MOS管的栅极可与双极型三极管的相对应（） 晶体管非门电路如图所示，已知β=40,当输入电压要使晶体管饱和导通，0. 7V，集电极和发射极之间的饱和电压（） PMOS管的开启电压Ur为（） 晶闸管的导通与否与门极加电压有关，与其两端所加电压无关。 增强型PMOS管的开启电压（） 三相整流电路中的二极管只要承受正向电压就导通。 晶体管非门电路如图所示，已知，β=40，当输入电压时，要使晶体管饱和导通，Rx的值不得大于（）。（设0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压） 晶体管非门电路如图所示，已知警输入电压=5V时，要使晶体管饱和导通，的值不得大于多少？（设，集电极和发射极之间的饱和电压）（） 晶闸管的导通与否只与门极加电压有关，与其两闻风而端所加电压无关。 可控硅的导通与关断是由控制极所加电压决定的（） 欲使导通晶闸管关断，错误的做法是()。 欲使导通晶闸管切断，错误的做法是（） 欲使导通晶闸管关断，错误的作法是（）。 欲使导通晶闸管关断，错误的做法是（）。 单结晶休管导通后，只要适当减小发射结电压并使VE＞VP，它就由导通突变为截止（） 晶体管非门电路如图所示，已知β=40，当输人电压时，要使晶体管饱和导通，Rx的值不得大于：（设0. 7V，集电极和发射极之间的饱和电压）（） 欲使已导通的晶闸管关断，只须去掉加在控制极上的触发电压即可（）