关于该平板探测器的叙述错误的是 材料
透过被照体的X线照射到平板探测器的非晶硒层时,由于非晶硒的导电特性被激发出电子-空穴对,即一对正负电子。该电子-空穴对在外加偏置电压形成的电场作用下被分离并反向运动,负电子跑向偏压的正极,正电子跑向偏压的负极,于是形成电流。电流的大小与入射X线光子的数量成正比,这些电流信号被存储在TFT的极间电容上。每个TFT形成一个采集图像的最小单元,即像素。每个像素区内有一个场效应管,在读出该像素单元电信号时起开关作用。在读出控制信号的控制下,开关导通,把存储于电容内的像素信号逐一按顺序读出、放大,送到A/D转换器,从而将对应的像素电荷转化为数字化图像信号。
A3A4型(医学类共用题干-单选)

关于该平板探测器的叙述错误的是

A. 属于直接转换
B. 属于间接转换
C. 成像效果好于IP
D. 数据转换不经过可见光
E. 需要高压电场

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A3A4型(医学类共用题干-单选)
关于该平板探测器的叙述错误的是
A.属于直接转换 B.属于间接转换 C.成像效果好于IP D.数据转换不经过可见光 E.需要高压电场
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.分为直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其DQE比CR系统高 D.其DQE比屏/片系统高
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高 E.DQE比CR系统高
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是()。
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF D.其DQE比屏/片系统高 E.DQE比CR系统高
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高 E.DQE比CR系统高
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.分为直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高 E.其DQE比CR系统高
答案
单选题
关于平板探测器的叙述,错误的是
A.有直接转换型和间接转换型 B.其极限分辨率比屏/片系统低 C.其MTF、比屏/片系统低 D.其DQE比屏/片系统高
答案
单选题
关于非晶硅平板探测器的叙述,下列错误的是()
A.属于间接转换型平板探测器 B.常见的多为碘化铯+非晶硅型 C.碘化铯层的晶体直接生长在基板上 D.碘化铯针状结构明显增加了X线的伪影 E.X线探测
答案
单选题
关于非晶硒平板探测器的叙述,下列错误的是()
A.使用了光电导材料,能将所吸收的光子转换成电荷 B.典型材料为非晶硒(a-SE. C.每个薄膜晶体管(TFT)形成一个采集图像的最小单元 D.非晶硒层直接将X线转换成电信号 E.与非晶硅探测器的工作原理相同
答案
单选题
关于非晶硒平板探测器成像性能的叙述,错误的是()
A.DQE和MTF高 B.刷新速度快.适用于动态摄影 C.图像层次丰富 D.分辨力高 E.动态范围大
答案
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