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本征半导体的载流子为自由电子和空穴

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本征半导体的载流子为电子和空穴。( ) P型半导体载流子中,自由电子的数目()空穴数目,空穴成为多数载流子(多子),该半导体以空穴导电为主 半导体的空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称() N型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称()。 P型型半导体自由电子数远多于空穴数,这些自由电子是多数载流子,而空穴是少数载流子,导电能力主要靠自由电子,称为电子型半导体,简称() 在半导体材料中,本征半导体的自由电子浓度等于空穴的浓度() P型半导体空穴数远多于自由电子数,这些空穴是多数载流子,而自由电子是少数载流子,导电能力主要靠空穴,称为空穴型半导体,简称()。 本征半导体温度升高后,自由电子数目和空穴数目增多() 当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量( ) 本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是() 当温度增加时,本征半导体中的自由电子和空穴的数量() P型半导体中,自由电子为多数载流子,而N型半导体中,空穴为多数载流子() 本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现的,同时产生的。() N 型半导体中,主要依靠自由电子导电,空穴是少数载流子。_ 半导体有带负电的自由电子和带正电的空穴两种载流子() 本征半导体中的自由电子与空穴总是成对产生、成对消失() 在本征半导体中,自由电子和空穴是独自产生的,互相无关联() 半导体金属都有自由电子空穴() 半导体的自由电子和空穴数目相等,这样的半导体叫做()。 半导体的自由电子和空穴数目相等,这样的半导体叫做()
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