单选题

二极管导通后,其二极管两端电压变化很小,锗管约为()

A. 0.5V
B. 0.7V
C. 0.3V
D. 0.1V

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锗二极管的导通电压通常比硅二极管的高() 当二极管两端所加正向电压大于其死区电压时,二极管才能导通() 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增,但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的。() 稳压二极管是依据二极管反向电流剧增,但二极管的端电压却变化很小的特点制作而成的() 二极管的两端电压与电流的关系称作二极管的()特性。 硅二极管和锗二极管的导通电压分别为 二极管所加正向电压____死区电压时,二极管完全导通。 二极管的导通条件是加在二极管两端的电压() 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管() 稳压二极管在反向击穿区内电流变化较大时,二极管两端电压不变() 二极管的两端电压与电流的关系,称为二极管的伏安特性。() 半导体二极管按()可分为硅二极管和锗二极管两类。 锗二极管的正常导通管压降为()。 当电源正极接二极管阳极、电源负极接二极管阴极时二极管导通,当电源负极接二极管阳极、电源正极接二极管阴极时二极管截止。 当电源正极接二极管阳极、电源负极接二极管阴极时二极管导通,当电源负极接二极管阳极、电源正极接二极管阴极时二极管截止。() 当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。 二极管加正向电压时,二极管导通,其正向电阻很大() Si二极管的死区电压约为V,Ge二极管的死区电压约为V,Si二极管导通时的管压降约为V,Ge二极管导通时的管压降约为V 锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是() 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
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