（2014•海南）Si和SiO2都用于制造光导纤维（）

炼钢中[Si] + [O2] = (SiO2)是吸热反应。 炼钢中[Si]+[O2]=（SiO2）是放热反应（） 炼钢中，Si+O2＝SiO2是吸热反应（） C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。（　） C和Si都是ⅣA族元素，所以CO2和SiO2都是分子晶体。（　） 炼钢中[Si]+2[O]=（SiO2）的反应是放热反应（） 下面哪些说法是正确的（）⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 全天生产75%硅铁50吨，消耗95吨硅石（SiO2=98%），硅微粉回收量10吨、SiO2=95%，炉渣量为铁量的3%，炉渣中SiO2＝30%，计算Si的回收率 渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式，将[Si]氧化成（SiO2）。 渣中FeO和MnO在高温下以耦合反应的方式，将[Si]氧化成（SiO2）（） 用硅钼蓝分光光度法测定SiO2，适用于含量的SiO2的测定（） 岩石SiO2的含量为SiO2＜52%是碱性石料 硬质玻璃含SiO2和B2O3较高，常用于制作（） 硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的。 炼钢过程中Si的氧化产物SiO2，只溶于炉渣而不溶于钢液（） 硅在大于1500℃的高炉内的还原顺序是按SiO2→（）→Si逐级进行的 中国大学MOOC: 下面关于二氧化硅薄膜制备的说法哪项是正确的（）。 ⑴ 热生长SiO2只能在Si衬底上生长 ⑵ CVD SiO2可以淀积在硅衬底上，也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上 ⑶ CVD SiO2，衬底硅不参加反应 ⑷ CVD SiO2，温度低 与光导纤维制造的光纤相比，由多成分玻璃纤维制成的光导纤维（　）。 与光导纤维制造的光纤相比，由多成分玻璃纤维制成的光导纤维()。 与光导纤维制造的光纤相比，由多成分玻璃纤维制成的光导纤维（）。