在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（）

二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 锗二极管正向导通压降约为V（） 二极管的管压降：硅二极管正向管压降为（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 二极管正向导通后，电流迅速上升，管压降也随者上升（） 在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 二极管主要特性是具有单向导电性，当正向导通时，硅管的电压降约为（） 二极管正向导通时，二极管相当于（）。 二极管正向导通时，二极管相当于 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为（） 二极管在正向导通时，锗管压降为（）左右 一般情况下，硅二极管导通后的正向压降比锗二极管的要小（） 硅二极管正向导通电压应为（）。