介损电桥测量小电容试品介质损耗因数时，采用( )接线较好。

采用介质损电桥的正、反接线进行测量时，一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据（） 在相同条件下，用QSI型西林电桥测量小电容试品的tgδT和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 采用QS1电桥测量串级式电流互感器支架介损tgδ值时，可选择接线方法是（） 测量变压器绕组绝缘介质损耗因数时，应同时测量电容值，若此电容值发生明显变化，应予以注意。分析时应注意（）对介质损耗因数的影响。 现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tanδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tanδN＞tanδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响（） 现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tgδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tgδN＞tgδx；②电场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tgδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 在相同条件下，用QS1型西林电桥测量小电容试品的tanδ和C时，用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的（） 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线？ 用QS1电桥测量变压器套管连同绕组一起的介损tgδ，应采用何种接线？如何接线 现场用西林电桥测量设备绝缘的介质损耗因数，出现试验电源与干扰电源不同步，电桥测量无法平衡时，应采用的正确方法是将电桥移位，远离干扰源。 一般采用西林电桥原理测量介损正切角值。( ) 用QS1型西林电桥测量介损时，怎样选择分流器位置？若被试品电容量约为4000pF（U＝10kV）分流器应在何位置？ 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品整体与地隔离时的测量。 西林电桥测试tanδ时采用正接线时适用于被试品不能与地隔离时的测量（） 下列属于电容型设备介质损耗因数测量方法的是（）。 根据油浸式变压器（电抗器）验收细则：介质损耗因数、电容量测量，20℃时介质损耗因数：对tgδ≤0.8%。应提供电容量实测值（） 变压器套管电容芯的介质损耗因数，20℃时的介质损耗因数应不大于（）。 变压器套管电容芯的介质损耗因数，20℃时的介质损耗因数应不大于（） 采用QS1电桥测量串级式电压互感器支架介损tgδ值时，可选择的接线方法是（）