GTR是由三层半导体、两个PN结构成的三端器件，所以可分为PNP型和NPN型两种形式（）

（）都不能单独构成半导体器件，PN结才是构成半导体器件的基本单元 三极管是具有三个PN结组成的半导体器件（） 杂质半导体有P型半导体和N型半导体，由它们构成PN节，PN节具有（）导电性，可以做成（）器件。 三极管内部由三层半导体材料组成，分别称为发射区、基区和集电区，结合处形成两个PN结，分别为发射结和（）。 可控硅是具有三个PN结的三端半导体元件（） 单向晶闸管（可控硅）由（）个半导体层构成，共有（）个PN结。 三极管是由三层半导体材料组成的。由三个区域，中间一层为（） 半导体PN结是构成各种半导体器件的工作基础，其主要特性是（）。 晶闸管由一个四层半导体构成，中间形成3个PN结（） a-Si太阳能电池是由形成（）和负极的二个导电层、作为活性部分的半导体层这三层基本结构构成的 三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是，两侧部分是发射区和集电区（） 三极管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为()。 晶体管是由三层半导体材料组成的。有三个区域，中间的一层为（）。 半导体PN结是构成各种导体器件的工作基础，其主要特性是()。   晶闸管有三个极，即阳极阴极K、控制极G,，由四层半导体（PNPN）三个PN结组成（） 在一块极薄的硅或锗基片上通过一定的工艺制作出两个PN结构成了（）层半导体 晶闸管的管芯是四层（）半导体板三端（A、K、G）器件，它决定晶闸管的性能 晶闸管是具有3个PN结、（）极的硅半导体器件。 晶闸管内部由（）半导体次叠而成，有三个PN结，外部引出三个电极 三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）