可控硅由导通变为阻断，必须使其电流下降到小于维持电流才能实现。

单向可控硅由导通变为截止要满足( )条件。 单向可控硅可靠导通后,降低控制极电流,可控硅将( )。 单向可控硅可靠导通后，降低控制极电流，可控硅将（）。 可控硅截止条件除阳极、阴极间加反向压，导通电流应（）维持电流 单向可控硅可靠道导通后，降低控制极电流，可控硅将（） 可控硅元件的维持电流越小越好。 可控硅元件的维持电流越小越好（） 可控硅主要参数有：正向阻断峰值电压、（）、（）、控制极触发电压、维持电流等 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（） 可控硅导通后，要使可控硅由导通转为阻断，须使阳极和阴极间的正向电压小于某一数值才行，通常取（） 可控硅由阳极、阴极和控制极构成，控制可控硅的电流是由调节流入（）电流来进行的。 可控硅加正向阳极电压，控制极不加触发电压，可控硅不导通称为可控硅正向阻断（） 温度升高时，可控硅的触发电流、维持电流将要减小，正反向电流将增大（） 额定电流小于的单相可控硅多为螺栓形（） 单相桥式可控硅整流电路中可控硅流过的平均电流是负载电流的（）倍。 选择双向可控硅时，其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的（）。 选择双向可控硅时，其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的（）倍。 一般额定电流大于的单相可控硅多为平板形可控硅（） 可控硅整流电路中，对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉搏冲电流太小，可控硅也无法导通（） 可控硅整流电路中对触发脉冲有一定的能量要求，如果脉冲电流太小，可控硅也无法导通（）