下列器件中，集MOSFET和功率晶体管的优点于一身（）

静电感应晶体管SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合。 绝缘栅双极晶体管(IGBT)的开关特性与功率MOSFET类似，区别在于（）。 晶体管属于_______控制器件，场效应晶体管属于_______控制器件 晶闸管是一种（）功率晶体管器件。其主要特点是（），（）。 电力场效应晶体管MOSFET()现象。 电力场效应晶体管MOSFET（）现象。 晶体管和场效应管的根本区别在于：晶体管是电流控制型器件，场效应管是电压控制型器件 电力场效应晶体管(MOSFET)有哪些特点? 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点 电力晶体管是__控制器件（） 电力晶体管是()控制型器件。 电力晶体管是A控制型器件。 功率场效应晶体管是单极性器件，属于电流控制型。 3AX系列晶体管为低频大功率晶体管。 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率器件（） 场效晶体管也是一种具有放大能力的晶体管，但它的控制方式与晶体管不同，晶体管是利用输入电流去控制输出电流，是电流控制器件，而场效晶体管是利用输入电压来控制输出电流，是电压控制器件 功率晶体管GTR是一种高反压晶体管，具有自关断能力，并有开关时间短、饱和压降低和安全工作区宽等优点（） 门极可关断晶闸管，大功率晶体管，功率场效应晶体管，绝缘栅双极晶体管按顺序用英文缩写表 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压控制型半导体器件（） 晶体管是电流控制型半导体器件，而场效应晶体管则是电压型控制半导体器件（）