描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。
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描述CMOS电路中闩锁效应产生的过程及最后的结果。
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电路产生过渡过程的条件是电路有()，产生过渡过程的内因是由电路中含有()元件。
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对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较，以下描述中不正确的是______。
A.TTL电路是电压控制，CMOS电路是电流控制 B.TTL电路速度快，但是功耗大，CMOS电路速度慢，传输延迟时间长 C.CMOS电路具有锁定效应 D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或下拉电阻
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电路产生过渡过程的条件是电路有换路，产生过渡过程的内因是由电路中含有贮能元件。（）
答案
CMOS集成电路中的场效应管是什么类型的（）
A.耗尽型 B.增强型 C.一个增强型一个耗尽型
答案
电路产生过渡过程的原因是（）
A.电路存在储能元件 B.电路存在耗能元件 C.电路发生变化 D.电路存在电阻元件
答案
__是动态电路产生过渡过程的内因
答案
场效应管主要用在CMOS门电路中，主要是因为它（）。
A.放大倍数大 B.运行速度高 C.输入阻抗高 D.稳定性高
答案
下列对CMOS电路描述正确的是（）
A.CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路 B.CMOS电路由半绝缘场效应晶体管组成 C.CMOS是一种单级型晶体管集成电路 D.CMOS基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管
答案
下列对CMOS电路特点描述正确的是（）
A.静态功耗较高，每门功耗为纳瓦级 B.逻辑摆幅大，近似等于电源电压 C.抗干扰能力强 D.速度快，门延迟时间达纳秒级
答案
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电路产生过渡过程的原因是，能量不能跃变（）
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焊接过程中，焊接速度过慢时，易产生过热及（）等。
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