主观题

中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作状态

查看答案
该试题由用户872****49提供 查看答案人数:28854 如遇到问题请 联系客服
正确答案
该试题由用户872****49提供 查看答案人数:28855 如遇到问题请联系客服

相关试题

换一换
主观题
中国大学MOOC: 测得某MOSFET的漏源电压,栅源电压值以及阈值电压:VDS=-3V,VGS=-2V,VTP=-1V,试判断该管子工作在 区。
答案
主观题
中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=-2V,VTP=-1V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作状态
答案
主观题
中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=3V,VGS=2V,VTN=1V;其中VTN为增强型MOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
答案
主观题
中国大学MOOC: 测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值,VDS=-3V,VGS=-1V,VTP=-1.5V;其中VTP为增强型PMOS管的开启电压;试判断该管工作在什么区域。
答案
判断题
中国大学MOOC: EMOS管存在导电沟道时,栅源电压必定大于零。
答案
判断题
中国大学MOOC: 如果MOS晶体管的输出电导gds等于零,说明漏源电流IDS与漏源电压VDS无关。
答案
判断题
中国大学MOOC: 开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。
答案
判断题
中国大学MOOC: MOS型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其RGS大的特点。 ( )
答案
单选题
电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。()
A.正确 B.错误
答案
判断题
中国大学MOOC: 实际电压源与实际电流源可以等效互换,理想电压源与理想电流源也可以等效互换。
答案
购买搜题卡 会员须知 | 联系客服
会员须知 | 联系客服
关注公众号,回复验证码
享30次免费查看答案
微信扫码关注 立即领取
恭喜获得奖励,快去免费查看答案吧~
去查看答案
全站题库适用,可用于E考试网网站及系列App

    只用于搜题看答案,不支持试卷、题库练习 ,下载APP还可体验拍照搜题和语音搜索

    支付方式

     

     

     
    首次登录享
    免费查看答案20
    微信扫码登录 账号登录 短信登录
    使用微信扫一扫登录
    登录成功
    首次登录已为您完成账号注册,
    可在【个人中心】修改密码或在登录时选择忘记密码
    账号登录默认密码:手机号后六位