判断题

在每一阀层,可控硅组件和饱和电抗器并联,然后与均压电容串联()

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判断题
在每一阀层,可控硅组件和饱和电抗器并联,然后与均压电容串联。
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判断题
在每一阀层,可控硅组件和饱和电抗器并联,然后与均压电容串联()
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主观题
每个双重阀塔包含()层,由两个单阀组成,每个单阀包含()个阀层,有()个可控硅组件。从下往上第1,2,3,6,7,8阀层有()个可控硅组件和()个电抗器组件。第4,5阀层有3个可控硅组件和()个电抗器组件。
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主观题
每个双重阀塔包含()层,由两个单阀组成,每个单阀包含()个阀层,有()个可控硅组件。从下往上第1,2,3,6,7,8阀层有()个可控硅组件和()个电抗器组件。第4,5阀层有3个可控硅组件和()个电抗器组件
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单选题
带平衡电抗器的双反星形可控硅整流电路适用于()
A.高电压大电流 B.低电压小电流 C.低电压大电流 D.高电压小电流
答案
单选题
站内并联电容器与并联电抗器不得同时()。
A.投入运行 B.断开 C.停运 D.试验
答案
主观题
站内并联电容器与并联电抗器()同时投入运行。
答案
判断题
站内并联电容器与并联电抗器可以同时投入运行。
答案
单选题
()是把并联电容器和并联电抗器综合在一起的补偿装置,具有并联电容器和并联电抗器两者的无功补偿效果()
A.并联电抗器 B.静止补偿器 C.电力电容器 D.同步调相机
答案
单选题
并联电容器组和并联电抗器组宜采用方式()
A.电动投切 B.自动投切 C.手动投切 D.备自投投切
答案
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在范围Ⅱ的系统当空载线路上接有并联电抗器时,在并联电抗器的中性点与大地之间串接一接地电抗器,以防止铁磁谐振过电压的产生。该接地电抗器的电抗值宜按补偿并联电抗器所接线路的()相间电容选取。 在范围n的系统当空载线路上接有并联电抗器时,在并联电抗器的中性点与大地之间串接一接地电抗器,以防止铁磁谐振过电压的产生。该接地电抗器的电抗值宜按补偿并联电抗器所接线路的()相间电容选取。 并联电抗器磁化特性,芯式电抗器组大约在倍额定电压以上开始饱和() 并联电抗器和串联电抗器各有什么作用? 并联电容器装置,如电容器的电容值(微法拉)一定,串人电抗器与不串入电抗器比较,以下描述中正确的是()。 可控硅阀的绝缘属于() 在带平衡的电抗器的双反星型可控硅整流电路中,负载电流是同时由绕组承担的() 并联电容器加装电抗器的作用是()。 可控高压并联电抗器(简称可控高抗)根据其结构原理可划分为()。 硅弧焊整流器电源由三相降压变压器、饱和电抗器、()、输出电抗器等组成。 并联电容器组串联电抗器部分安装在室内时,宜选用铁芯电抗器() 选择双向可控硅时,其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的()。 并联电容器组所串接的串联电抗器的作用和() 并联电容器回路串联电抗器主要作用是()。 并联电容器回路串联电抗器主要作用是() 为了改善硅整流装置的动态整流效果,在每一晶闸管支路中串入均流电抗器() 磁饱和电抗器式硅整流焊机由( )等部分组成。 选择双向可控硅时,其额定电流应等于每个反并联普通可控硅额定电流的()倍。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、()、可控硅监视单元和光纤传输设备组成。 可控硅触发监测系统由可控硅控制单元、()、可控硅监视单元和光纤传输设备组成
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