单选题

Mosfet管在开关和关断过程中,门极电压上可能会出现一个平台,是由于()

A. Mosfet开关速度太快
B. Mosfet开关速度太慢
C. 米勒电容充放电引起
D. 门极电容充放电引起

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作为开关管使用的三极管,在相当于开关断开状态时,三极管是处在()状态。 关断缓冲电路主要用于吸收器件的关断过电压和换相过电压,抑制du/dt。 根据电梯技术条件,开关门过程中门机构噪声≤dB() 车门在开关过程中门区位于侧顶板上的车门红色指示灯闪烁。( ) 车门在开关过程中门区位于侧顶板上的车门红色指示灯闪烁() 可关断(GTO)晶体管是,要使GTO晶体管关断,必须在门极上施加一个反向的大脉冲电流及反向电压() MOSFET的饱和漏极电流由( )电压决定。 在品闸管整流电路中,引起关断过电压的原因是电路带负载 负荷开关在开断过程中产生电弧瞬间流过开关装置的一极或流过熔断器的电流叫开断电流。 由于IGBT中双极型PNP型晶体管的存在,使IGBT的开关速度电力MOSFET() 控制极加正向电压则品闸管就导通,加反向电压就关断() 省煤器管损坏时,可能会出现如下现象() 三极管作为开关应用时,相当于开关断开的三极管状态应处于() 当三极管的发射结和集电结都处于反向偏置时,三极管截止,相当于开关断开() 三极管开关电路中当三极管截止时相当于开关闭合,当其饱和时相当于开关断开() 散体结构的土状围岩或极破碎的围岩可能会出现() 已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等 当单结晶体管的发射极电压高于谷点电压时,单结晶体管关断() 晶体三极管具有电压放大特性和开关特性。 晶体三极管具有电压放大特性和开关特性()
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