硅整流堆的各项参数，都是在电阻性负载和规定安装方向时的数据，所以在电容性或电感性负载时，实际整流电流较额定值（）

直流高电压试验，在利用硅堆整流时当单个的电压不够，需要采取多只串联的办法时，采用并联均压电阻，其数值一般为硅堆反向电阻的（）。如按此值所选的电阻值过高而不易达到时，可适当减小为1000MΩ 多相整流器的组成是由单组整流元件和对应整流臂组成。常用的整流元件有闸流管、半导体整流二极管、整流硅堆和可控硅元件等。 单相桥式可控整流电路电阻性负载时，晶闸管中的电流平均值是负载的（） 三相半波可控整流电路电阻性负载时，移相范围是（）-（） 单相半波可控整流电路电阻性负载时，控制角α=0°～180°范围是（） 三相半波可控整流电路带电阻性负载时，当控制角大于（），负载电流开始断续 产生直流高压的半波整流电路由升压试验变压器T、高压硅堆V、滤波电容C和保护电阻R构成。 高压硅整流变压器内高压硅堆击穿的故障现象有（）。 UPS不适合带可控硅类负载、半波整流类负载、电机类负载（） UPS不适合带可控硅类负载、半波整流类负载、电机类负载（） 三相半波可控整流电路,电阻性负载,当控制角时,整流输出电压与电流波形断续（） N型硅材料整流堆二极管用表示 高压硅整流变器控制柜对控制装置插件各环节静态参数进行测量及调整时，应断开主回路与硅整流变压器一次侧的接线，接入俩灯泡作假负载。 单相桥式可控整流电路电阻性负载时，控制角α的移相范围是（） 三相半控桥整流电路电阻性负载时，电路的移相范围（） 单相桥式可控整流电路电阻性负载时,控制角a的移相范围是（） 单相半波可控整流电路电阻性负载，控制角α=90°时，输出电压Ud是（）。 单相半波可控整流电路电阻性负载，控制角α=900时，输出电压Ud是()。 单相格式可控整流电路电阻性负载的输出电流波形（） 常用可控硅整流电路中，（）可控硅整流电路适用于大功率.高电压负载。