TTL集成门电路，当输入端全为高电平时，多发射极晶体管发射结（）偏，集电结分别存在（）偏

晶体管共发射极放大电路电压放大倍数较小。 TTL与非门的电路图中，当输入端A、B都为高电平时，A点的电压值为（）。 晶体管共发射极放大电路电流放大倍数较小。 当单结晶体管发射极电压低于（ ）电压，单结晶体管截止。 以晶体管的基—射极为输入端,以集—射极为输出端而构成的晶体管放大器称为共发射极放大器。( ) 如果一个电路，只有当所有的输入端都为高电平时，输出端才为高电平，但是要有不少于一个输入端为低电平，输出端便为低电平，这样的电路称为（）门电路。 在共发射极晶体管的放大电路中，当无输入信号（静态）时，集电极电流Ic与基极电流Ib的比值称为共发射极（）放大系数。 晶体管非门电路如题87图所示，已知，当输入电压的值不得大于多少? （ ）（设=0.7V，集电极和发射极之间的饱和电压=0.3V） 单结晶体管振荡电路是利用单结晶体管发射极特性中的（）工作的。 单结晶体管震荡电路是利用单结晶管发射极特性中的（） TTL集成逻辑门电路的输入端和输出端都是采用（）结构。 单结晶体管是由一个发射极和（）组成的晶体管。 单结晶体管的图形符号中有（）发射极。 有三个输入端的或非门电路，要求输出高电平，其输入端应是（）。 当单结晶体管的发射极电压低于()电压时就截止。 在共发射极晶体管的放大电路中，当加有输入信号（动态）时，集电极电流的变化量ΔIc与基极电流变化量ΔIb的比值称为共发射极（）放大系数 如果晶体三极管的发射极是（）和（）的公共端，这种电路称为发射极电路。 DTL与非集成电路输出为高电平，则输入端（）为低电平 当单结晶体管的发射极电压下降到（）电压时，就截止。 晶体管共发射极的截止频率fβ的定义是（）