在如图所示电路中，设二极管正向导通时的压降为0.7V，则电压Ua为（）V

二极管正向导通时，压降很小，硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V（） 二极管正向导通时的正向电压值称为管压降，一般小功率硅管的管压降可为（）V。 二极管应用电路如图所示，图中，，R=1kΩ，设二极管均为理想器件，则电流=（） 肖特基二极管正向压降小，开启电压（），正向导通损耗小。 电路如图（2)所示，其中处于导通状态的二极管是（)。如果二极管的正向管压降为0.7V，则AO两端的电压V_AO为（)V。 如图所示电路中，二极管性能理想，则电压为（） 电路如图所示，其中处于导通状态的二极管是（），AO两端的电压V_AO为（）V。设二极管为理想的。 硅二极管导通时的正向管压降约V（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（） 二极管应用电路如图所示，（） 二极管正向导通时，锗管的电压降约为（） 硅二极管导通时的正向压降为V，锗二极管导通时的正向压降为V（） 二极管应用电路如图所示，图7-5-1中，=5V，R=1k9，设二极管均为理想器件，则电流=（ ）。 如图所示，设二极管为理想元件，当=150V时，为（） 硅二极管导通时.它两端的正向导通压降约为（） 一般情况下，硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（） 肖特纳二极管正向压降小，开启电压低，正向导通损耗小（） 在常温常压下，硅二极管的正向导通压降约为（） 在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）