离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。

早期，研究离子注入技术是用（）来进行的。 什么叫离子注入，它的特点是什么？ 离子注入前一般需要先生长氧化层，其目的是什么？ 离子注入装置的主要部件有（）、分析器、加速聚焦系统等。 离子注入机的主要部件以及它们的主要任务分别是什么？ 例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。 什么是离子注入的横向效应？同等能量注入时，As和B哪种横向效应更大？为什么？ 在实际工作中，常常需要知道离子注入层内损伤量按（）的分布情况。 中国大学MOOC: 离子注入方法和扩散方法均能精确控制杂质的浓度。 中国大学MOOC: 离子注入过程中的沟道效应是指离子注入过程中始终没有与原子核发生碰撞，而是沿晶格间隙“长驱直入”，进入硅片内部相当深的地方。 通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高（） 中国大学MOOC: 抑制离子注入过程中的沟道效应的措施有（）。 中国大学MOOC: 以下关于离子注入优点的选项中，（）的说话是错误的。 离子注入是借其（）强行进入靶材料中的一个（）物理过程。 什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？ 中国大学MOOC: 热扩散方法适合做深结，离子注入法适合做浅结。 半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂（）加速到的需要的（），直接注入到半导体晶片中，并经适当温度的（）。 中国大学MOOC: 下面关于离子注入技术所需要的三大元素描述正确的是（）。 为了防止抽气设备对离子注入系统的油污染，可在靶室前增加一个（）或采用无油泵。 （）就是用功率密度很高的激光束照射半导体表面，使其中离子注入层在极短的时间内达到高温，消除损伤。