硅二极管的反向漏电流比锗二极管的反向漏电流大。（）

硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。 反向电流是衡量二极管反向特性的一个重要参数，反向电流大，二极管性能就好（） 肖特基二极管的耐压较低，反向漏电流较大，（）较差。 若反向漏电流较大，则说明二极管性能不好。（） 在反向击穿前，二极管的反向漏电流随着反向电压的增大而（） 锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（） 二极管的反向电流很大，说明该二极管的特性（）。 二极管加反向电压时，二极管处于截止状态，此时没有电流通过二极管（） 晶体二极管的最大反向电流越大，表示二极管的（）。 二极管按材料分类为硅二极管和锗二极管（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。（） 硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性（） 二极管反向截止时，反向电阻大，反向电流约为0（） 二极管反向电流越小,二极管的单向导电性越好 二极管反向饱和电流越小，说明二极管的截止性能越好。（ ） 二极管反向饱和电流越小，说明二极管的截止性能越好（） 二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为（） 无论锗二极管或硅二极管，其反向电阻都在几十千欧到几百千欧以上（） 硅二极管比锗二极管的热稳定性差（）