单选题

光开关的是两个端口处于导通和非导通状态的插入损耗之差()

A. 远端串扰
B. 近端串扰
C. 消光比
D. 开关时间

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MOSFET的导通电阻非常小,所以导通损耗也非常小。 IGBT 相比MOSFET,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。 光分路器的插入损耗怎样计算? 光分路器的插入损耗怎样计算 当晶闸管导通后,可依靠管子本身的()作用,以维持其导通状态。 单模光纤连接器的插入损耗一般为两个规格() 三相桥式半控整流电路中,任何时刻都至少有两个二极管处于导通状态() 占空比是开关的导通时间与开关周期之比。 晶体管只有两种工作状态,即饱和导通状态和截止关闭状态。 晶体管只有两种工作状态,即饱和导通状态和截止关闭状态() 晶体管只有两种工作状态,即饱和导通状态和截止关闭状态() 在三相桥式半控整流电路中,任何时刻都至少有两个二极管是处于导通状态() ()晶闸管一旦导通后,即使撤除门极电压,晶闸管仍能保持导通状态.。 晶体二极管处于导通状态时,其伏安特性()。 二极管的导通状态就相当于开关的接通状态() 双向可控硅在它的两个方向控制导通时,只有一个控制极可触发其导通。 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于RM模式下,应测量P1.1至P1.8及P1.8至P1.26间的导通情况,正常时此两组端子间应导通,且模式开关1对应的ATP、ATO、iATP及ATB模式相应端子间应非导通() 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATP模式下,应测量P1.1至P1.7及P1.7至P1.25间的导通情况,正常时此两组端子间应导通,且模式开关1对应的ATP、RM、iATO及ATB模式相应端子间应非导通() 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATB模式下,应测量P1.1至P1.10及P1.10至P1.28间的导通情况,正常时此两组端子间应导通,且模式开关1对应的ATP、RM、iATP及ATO模式相应端子间应非导通() 杭州地铁2、4号线测试模式开关1处于ATO模式下,应测量P1.1至P1.6及P1.6至P1.24间的导通情况,正常时此两组端子间应导通,且模式开关1对应的ATP、RM、iATP及ATB模式相应端子间应非导通()
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